图1给出了典型的的一般结构及其作业的模仿仿真曲线个作业区，第Ⅰ区是正常区，梁未触摸到衬底上的绝缘层，当作业在这一段时，传感器与传统的硅压力传感器相同。当梁快要挨近触摸点的时分，传感器单位面积上遭到的压力与发生的电容呈非线性联系。第Ⅱ区是过渡区，梁开端触摸到衬底上的绝缘层，C-p曲线呈非线性联系，电容从梁未触摸到衬底到开端触摸衬底改动。第Ⅲ区是线性区，梁与衬底上的绝缘层开端有用触摸，并且传感器的电容将跟着压力的添加而线性增大。第Ⅳ区是饱满区C-p曲线略呈非线性联系，跟着压力的持续添加，非线性将更显着。

　　双面触摸式电容压力传感器的原理是根据单面触摸式电容压力传感器而来的。其作业原理：当传感器的受压膜片(即梁)与基底间隔很近时，膜片受压后与基底触摸，当压力变化时，经过改动触摸面积的巨细来改动电容量。

　　双面触摸式电容压力传感器的电容由两部分所组成：一部分为梁受压后，没有触摸到衬底上的绝缘层时构成的电容，此电容类似于惯例的电容压力传感器，这一部分只占触摸式电容压力传感器的电容量的很小一部分;另一部分是梁触摸到衬底后构成的电容，这部分电容量才是需求的电容量，并且它占主导地位，较多选用的是国产品牌电容，如三环电容、风华电容，也可选择台企电容巨子YAGEO电容(即国巨电容)作为所选电容。当压力添加时，梁与衬底的触摸面积添加，一起梁与衬底的非触摸部分削减。刚开端，电容主要由非触摸部分供给，跟着压力的添加，梁开端触摸衬底的绝缘层后，非触摸部分供给的电容慢慢地削减，而触摸部分供给的电容与触摸面积将呈线性添加。因为绝缘层十分薄，因而当梁开端与衬底上的绝缘层触摸后，触摸面积所供给的电容将占主导地位。

　　双面触摸式电容压力传感器是由3个硅晶片(其中有两个晶片B是相同的)用硅熔融法进行键合，先把晶片A正反双面腐蚀两个相同巨细的沟槽来作为传感器的真空腔，然后在这两个大沟槽上淀积一层二氧化硅作为绝缘层，一起把晶片A作为双面触摸式电容压力传感器的公共下电极，接着把两片用浓的固态硼分散好的晶体B用熔融键合的方法键合在晶片A的正反双面，用离子刻蚀法刻蚀掉晶片B最外层的重掺杂层，紧接着用自中止腐蚀法去掉轻掺杂层，得到最里边的重掺杂层作为传感器的上电极。关于晶片A和B,能够运用圆形、方形、矩形膜，本次规划采取了圆形膜。制作工艺流程如下：

　　先在晶片A的两头氧化出2m的氧化层，然后把预先规划好的掩膜(即大沟槽的形状)附在晶片A的正反双面，然后放到SF6溶液里边让它进行腐蚀，就可得到所要的大沟槽(线淀积一层绝缘层

　　在腐蚀出大沟槽的晶片A双面都氧化一层150nm厚的SiO2,作为绝缘层。此刻，晶片A能够与晶片B进行键合。

　　为了削减因为只分散硼的一边使梁变形而高低不平的状况，使晶体的两头都进行硼分散，大约要在1120℃下分散160min.

　　晶片被腐蚀后外表变得不平，因而要进行化学机械抛光，化学机械抛光的一些参数见表1: